JUSTA金胜特JST8N80-8A800V场效应管MOS规格书

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JST8N80产品描述

JST8N80为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。


JST8N80产品特点

8.0A, 800V, RDS(on) = 1.55Ω @VGS = 10 V

低电荷、低反向传输电容

开关速度快



ST8N80-8A800V极限值 (TC=25℃)


参数名称
符号
JST8N80P
JST8N80F
单位
漏极-源极电压
I D
800
800
V
漏极电流@Tc=25℃
V DSS
8.0
8.0
A
栅源电压
V GSS
±30
±30
V
耗散功率@Tc=25℃
P D
178 59 W
结温
T J
-55~150
-55~150

储存温度
T stg
-55~150
-55~150

雪崩
E AS
850
850
mJ


ST8N80-8A800V动态特性值

参数说明
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
输入电容
C iss
V DS=25v, V GS=0V,f=1.0 MH Z
--
1580
2050
pF
输出电容
C oss
V DS=25v, V GS=0V,f=1.0 MH Z
--
135
175
pF
反向传输电容
C rss
V DS=25v, V GS=0V,f=1.0 MH Z
--
13
17
pF